在20世纪80年代中期VLSI电路到来之前，负性光刻胶由于其较好的显影特性，使用最广泛。但是因为它的分辨能力不高，负性光刻胶不能满足VLSI印制电路板制造高密度的要求。
所以，半导体工业转向f使用正性光刻胶，因为它的分辨能力更高。这种转变很困难，不仅因为掩模版或者对位标记需要变成正性图形，而且印制电路板制造要克服正性光刻胶较低的粘合能力及其聚合和未聚合部分可溶性差异小的难题，光刻同时用于二氧化硅层和金属化层的图形成型。
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